三星完成5nm EUV开发性能提高10%功耗降低20%

来源：IT之家　2019-04-17 10:26:11

三星官网发布消息称，三星电子已经成功完成5nm EUV开发，以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。

三星电子称，其5纳米(nm)FinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外(EUV)的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。

与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。

三星称，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权(IP)重用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本，预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的5nm产品开发时间。

“成功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力，”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。

此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。

三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外，三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线，该生产线预计将在2019年下半年完成，并从明年开始增产。

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